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K7A321830C-QI20T

更新时间： 2024-02-05 21:28:13

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	424K
描述
Standard SRAM, 2MX18, 3.1ns, CMOS, PQFP100

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K7A321830C-QI20T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	3.1 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
端子数量：	100	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2.38 V	子类别：	SRAMs
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

K7A321830C-QI20T 数据手册

Preliminary

K7A323630C

K7A321830C

1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM

36Mb Sync. Pipelined Burst SRAM

Specification

100TQFP with Pb / Pb-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 0.2 April 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7A323600M	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM
K7A323600M-FC14	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 4ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7A323600M-FC140	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 4ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7A323600M-FC150	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7A323600M-FC200	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7A323600M-FC22	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7A323600M-FC220	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7A323600M-FC25	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7A323600M-FI220	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7A323600M-HC140	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 4ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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