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K6X4008T1F-GF70T

更新时间： 2024-01-20 03:06:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 125K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32

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K6X4008T1F-GF70T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP32,.56
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.00001 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.025 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

K6X4008T1F-GF70T 数据手册

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K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Supply voltage  
Ground  
Vcc  
2.7  
3.0/3.3  
3.6  
0
V
Vss  
VIH  
VIL  
0
0
-
V
V
V
Vcc+0.22)  
0.6  
Input high voltage  
Input low voltage  
Note:  
2.2  
-0.23)  
-
1. Commercial Product: TA=0 to 70°C, otherwise specified  
Industrial Product: TA=-40 to 85°C, otherwise specified  
Automotive Product: TA=-40 to 125°C, otherwise specified  
2. Overshoot: VCC+2.0V in case of pulse width ≤ 30ns  
3. Undershoot: -2.0V in case of pulse width ≤ 30ns  
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.  
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)  
Item  
Input capacitance  
Symbol  
CIN  
Test Condition  
VIN=0V  
Min  
Max  
8
Unit  
-
-
pF  
pF  
Input/Output capacitance  
CIO  
VIO=0V  
10  
1. Capacitance is sampled, not 100% tested.  
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS  
Item  
Symbol  
ILI  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Input leakage current  
Output leakage current  
Operating power supply current  
VIN=Vss to Vcc  
-1  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
µA  
µA  
mA  
mA  
mA  
V
ILO  
CS=VIH or OE=VIH or WE=VIL VIO=Vss to Vcc  
IIO=0mA, CS=VIL, VIN=VIL or VIH, Read  
-1  
ICC  
-
2
Cycle time=1µs, 100% duty, IIO=0mA CS≤0.2V,VIN≤0.2V or VIN≥Vcc-0.2V  
Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA, CS=VIL, VIN=VIH or VIL  
IOL=2.1mA  
ICC1  
ICC2  
VOL  
VOH  
ISB  
-
3
Average operating current  
-
25  
0.4  
-
Output low voltage  
Output high voltage  
Standby Current(TTL)  
-
IOH=-1.0mA  
2.4  
V
CS=VIH, Other inputs = VIL or VIH  
K6X4008T1F-B  
-
-
-
-
0.3  
10  
10  
30  
mA  
µA  
µA  
µA  
Standby Current (CMOS)  
ISB1  
CS≥Vcc-0.2V, Other inputs=0~Vcc  
K6X4008T1F-F  
K6X4008T1F-Q  
4
Revision 2.0  
March 2005  
1234567...9

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