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K6X4008T1F-GF70T

更新时间： 2024-01-21 03:02:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 125K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32

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K6X4008T1F-GF70T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP32,.56
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.00001 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.025 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

K6X4008T1F-GF70T 数据手册

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K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
512K×8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
• Process Technology: Full CMOS  
• Organization: 512K×8  
The K6X4008T1F families are fabricated by SAMSUNG′s  
advanced full CMOS process technology. The families support  
various operating temperature range and have various package  
types for user flexibility of system design. The families also sup-  
port low data retention voltage for battery back-up operation  
with low data retention current.  
• Power Supply Voltage: 2.7~3.6V  
• Low Data Retention Voltage: 2V(Min)  
• Three State Outputs  
• Package Type: 32-SOP-525, 32-TSOP2-400F/R  
32-TSOP1-0813.4F  
PRODUCT FAMILY  
Power Dissipation  
Vcc  
Range  
Product Family Operating Temperature  
Speed  
PKG Type  
Standby Operating  
(ISB1, Max) (ICC2, Max)  
K6X4008T1F-B  
K6X4008T1F-F  
Commercial(0~70°C)  
Industrial(-40~85°C)  
10µA  
32-SOP-525, 32-TSOP1-0813.4F  
551)/702)/85ns  
702)/85ns  
32-TSOP2-400F/R  
10µA  
30µA  
2.7~3.6V  
25mA  
32-SOP-525, 32-TSOP1-0813.4F  
32-TSOP2-400F  
K6X4008T1F-Q Automotive(-40~125°C)  
1. This parameter is measured in the voltage range of 3.0V~3.6V with 30pF test load.  
2. This parameter is measured with 30pF test load.  
PIN DESCRIPTION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
VCC  
A15  
A17  
WE  
A13  
A8  
VCC  
A15  
A17  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
1
2
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
Clk gen.  
Precharge circuit.  
2
3
3
4
WE  
A13  
A8  
4
5
5
A6  
6
6
A6  
A5  
7
A9  
A9  
7
A5  
32-TSOP2  
(Reverse)  
32-SOP  
32-TSOP2  
(Forward)  
A4  
8
A11  
OE  
A11  
OE  
8
A4  
Row  
Addresses  
Row  
select  
A3  
9
9
A3  
Memory array  
A2  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A10  
CS  
A10  
CS  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A2  
A1  
A1  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A0  
A0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
I/O1  
I/O8  
Data  
cont  
I/O Circuit  
A11  
A9  
A8  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32  
OE  
A10  
CS  
Column select  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A13  
WE  
A17  
A15  
VCC  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
VSS  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
Data  
cont  
32-STSOP1  
(Forward)  
10  
Column Addresses  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A6  
A5  
A4  
A1  
A2  
A3  
CS  
Control  
logic  
WE  
OE  
Name Function  
Name Function  
A0~A18 Address Inputs  
Vcc  
Vss  
Power  
WE  
CS  
OE  
Write Enable Input  
Chip Select Input  
Output Enable Input  
Ground  
I/O1~I/O8 Data Inputs/Outputs  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to change products and specifications without notice.  
2
Revision 2.0  
March 2005  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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