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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSSOP, TSSOP32,.56,20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.56,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K6X4008T1F-LQ70 | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6X4008T1F-LQ700 | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP1-32 |
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| K6X4008T1F-LQ70T | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6X4008T1F-LQ85 | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6X4008T1F-LQ850 | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP1-32 |
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| K6X4008T1F-LQ85T | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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