是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSOP, TSOP32,.46 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP | 封装等效代码: | TSOP32,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | YES | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.025 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6X4008T1F-MF85 | SAMSUNG |
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512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
K6X4008T1F-MF850 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 | |
K6X4008T1F-MF85T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 | |
K6X4008T1F-Q | SAMSUNG |
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512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
K6X4008T1F-QB550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, LEAD FREE, TSOP2-32 | |
K6X4008T1F-QB55T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | |
K6X4008T1F-QB70 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
K6X4008T1F-QB700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, LEAD FREE, TSOP2-32 | |
K6X4008T1F-QB70T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
K6X4008T1F-QB850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, LEAD FREE, TSOP2-32 |