是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSSOP, TSSOP32,.56,20 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00003 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.025 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6X4008T1F-LQ85 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 | |
K6X4008T1F-LQ850 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP1-32 | |
K6X4008T1F-LQ85T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 | |
K6X4008T1F-MB55 | SAMSUNG |
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512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
K6X4008T1F-MB550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 | |
K6X4008T1F-MB55T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | |
K6X4008T1F-MB70 | SAMSUNG |
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512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
K6X4008T1F-MB700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 | |
K6X4008T1F-MB70T | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K6X4008T1F-MB85 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |