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K6X4008T1F-GF70T

更新时间: 2024-02-04 09:06:28
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三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 125K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32

K6X4008T1F-GF70T 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.025 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

K6X4008T1F-GF70T 数据手册

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K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
PACKAGE DIMENSIONS  
Units: millimeters(inches)  
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400F)  
0~8°  
0.25  
0.010  
(
)
#32  
#17  
0.45~0.75  
0.018 ~ 0.030  
11.76±0.20  
0.463±0.008  
#1  
#16  
0.50  
0.020  
(
)
+0.10  
-0.05  
+0.004  
-0.002  
0.15  
21.35  
0.841  
1.00±0.10  
MAX  
0.039±0.004  
0.006  
1.20  
0.047  
20.95±0.10  
0.825±0.004  
MAX  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
0.05  
0.002  
MIN  
1.27  
0.050  
0.95  
0.037  
0.40±0.10  
0.016±0.004  
(
)
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400R)  
0~8°  
0.25  
0.010  
(
)
#1  
#16  
0.45 ~0.75  
0.018 ~ 0.030  
11.76±0.20  
0.463±0.008  
#32  
#17  
0.50  
0.020  
(
)
+0.10  
-0.05  
+0.004  
-0.002  
0.15  
21.35  
0.841  
1.00±0.10  
0.039±0.004  
MAX  
0.006  
1.20  
0.047  
20.95±0.10  
0.825±0.004  
MAX  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
1.27  
0.050  
0.05  
0.002  
0.40±0.10  
0.016±0.004  
0.95  
0.037  
MIN  
(
)
9
Revision 2.0  
March 2005  

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