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K6X4008T1F-GF70T

更新时间： 2024-02-26 02:41:24

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	125K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32

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K6X4008T1F-GF70T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00001 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K6X4008T1F-GF70T 数据手册

K6X4008T1F Family

CMOS SRAM

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)

tWC

Address

tCW(2)

tWR(4)

tAW

tWP(1)

tAS(3)

tDW

tDH

Data Valid

Data in

tWHZ

tOW

Data Undefined

Data out

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS Controlled)

tWC

Address

tCW(2)

tAS(3)

tWR(4)

tAW

tWP(1)

tDW

tDH

Data in

Data Valid

High-Z

Data out

High-Z

NOTES (WRITE CYCLE)

1. A write occurs during the overlap of a low CS and a low WE. A write begins at the latest transition among CS going Low and WE

going low : A write end at the earliest transition among CS going high and WE going high, tWP is measured from the begining of write

to the end of write.

2. t^CWis measured from the CS going low to the end of write.

3. t^ASis measured from the address valid to the beginning of write.

4. t^WRis measured from the end of write to the address change. tWR is applied in case a write ends with CS or WE going high.

DATA RETENTION WAVE FORM

CS controlled

Data Retention Mode

tSDR

tRDR

VCC

2.7V

2.2V

VDR

CS≥VCC - 0.2V

GND

Revision 2.0

March 2005

1...4 5 678 9

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