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K6T4008C1C-DL70

更新时间: 2024-11-28 22:28:07
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 172K
描述
512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T4008C1C-DL70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP32,.6
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.85最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:41.91 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.055 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

K6T4008C1C-DL70 数据手册

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CMOS SRAM  
K6T4008C1C Family  
Document Title  
512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial draft  
October 20,1998  
Preliminary  
1.0  
Finalize  
April 12, 1999  
Final  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
Revision 1.0  
1
April 1999  

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