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K6T4008C1C-GB550

更新时间: 2024-11-29 20:03:47
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三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 169K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

K6T4008C1C-GB550 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP,
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.4最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.47 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

K6T4008C1C-GB550 数据手册

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CMOS SRAM  
K6T4008C1C Family  
Document Title  
512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial draft  
October 20,1998  
Preliminary  
1.0  
Finalize  
April 12, 1999  
Final  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
Revision 1.0  
1
April 1999  

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