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K6T4008C1B-GB55T00

更新时间： 2024-09-26 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	170K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

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K6T4008C1B-GB55T00 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.79
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	20.47 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	3 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

K6T4008C1B-GB55T00 数据手册

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CMOS SRAM

K6T4008C1B Family

Document Title

512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial Draft

December 7, 1996

Advance

0.1

Revise

March 6, 1997

Preliminary

- Changed Operating current by reticle revision

ICC at write : 35mA ® 45mA

ICC1 at read/write : 15/35mA ® 10/45mA

1.0

Finalize

October 9, 1997

Final

- Changed Operating current

ICC1 at write : 45mA ® 40mA

ICC2; 90mA ® 80mA

- Change test load at 55ns : 100pF ® 50pF

2.0

3.0

Revise

- Change datasheet format

February 17, 1998

Final

Revise

September 8, 1998 Final

- Industrial product speed bin change:70/100ns ® 55/70ns

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 3.0

September 1998

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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