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K6R1016C1A-TC150

更新时间： 2024-02-15 01:11:01
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 195K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K6R1016C1A-TC150 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.89
Is Samacsys：N最长访问时间：15 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.008 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K6R1016C1A-TC150 数据手册

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PRELIMINARY  
K6R1016C1A-C, K6R1016C1A-I  
CMOS SRAM  
Document Title  
64Kx16 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out.  
Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Data  
Remark  
Preliminary  
Final  
Rev. 0.0  
Rev. 1.0  
Initial release with Preliminary.  
Apr. 22th, 1995  
Feb. 29th, 1996  
Release to final Data Sheet.  
1.1. Delete Preliminary.  
Rev. 2.0  
Rev. 3.0  
Update D.C parameters.  
2.1. Update D.C parameters.  
Jul. 16th, 1996  
Final  
Previous spec.  
Updated spec.  
(12/15/17/20ns part)  
190/185/185/180mA  
Items  
(12/15/17/20ns part)  
220/210/200/190mA  
30mA  
Icc  
Isb  
25mA  
8mA  
Isb1  
10mA  
Add Industrial Temperature Range parts.  
Jun. 2nd, 1997  
Final  
3.1. Add Industrial Temperature Range parts with the same parame-  
ters as Commercial Temperature Range parts.  
3.1.1. Add KM6R1016C1A parts for Industrial Temperature  
Range.  
3.1.2. Add ordering information.  
3.1.3. Add the condition for operating at Industrial Temp. Range.  
3.2. Add the test condition for VOH1 with Vcc=5V±5% at 25°C.  
3.3. Add timing diagram to define tWP1 as ²(Timing Wave Form of  
Write Cycle(OE=Low fixed)².  
Rev. 4.0  
Feb. 25th, 1998  
Final  
4.1. Delete 17ns Part.  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Rev 4.0  
February 1998  
- 1 -  
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