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K4S64323LF-SP75

更新时间: 2024-11-28 22:57:31
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
2Mx32 Mobile SDRAM 90FBGA

K4S64323LF-SP75 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA90,9X15,32
针数:90Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B90JESD-609代码:e0
长度:13 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:90字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA90,9X15,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8/2.5,2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.4 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.115 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11 mmBase Number Matches:1

K4S64323LF-SP75 数据手册

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K4S64323LF-S(D)N/U/P  
CMOS SDRAM  
2Mx32  
Mobile SDRAM  
90FBGA  
(VDD/VDDQ 2.5V/1.8V or 2.5V/2.5V)  
Revision 1.5  
December 2002  
Rev. 1.5 Dec 2002  

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