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K4S643232E-TP60T

更新时间： 2024-01-09 01:00:34

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	1150K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86

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K4S643232E-TP60T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP86,.46,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G86
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
端子数量：	86	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP86,.46,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K4S643232E-TI/P

CMOS SDRAM

2M x 32 SDRAM

512K x 32bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL

Industrial Temperature

Revision 1.0

January 2001

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 (Jan. 2001)

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12 3 4 5 6 7...44

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4S643232E-TP70	SAMSUNG	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	获取价格
K4S643232E-TP70T	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86	获取价格
K4S643232F	SAMSUNG	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	获取价格
K4S643232F-	SAMSUNG	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL3.3V	获取价格
K4S643232F-TC45	SAMSUNG	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	获取价格
K4S643232F-TC50	SAMSUNG	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	获取价格