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K4S643232E-TP60T

更新时间： 2024-01-02 05:25:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	1150K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86

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K4S643232E-TP60T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP86,.46,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G86
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
端子数量：	86	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP86,.46,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K4S643232E-TP60T 数据手册

K4S643232E-TI/P

CMOS SDRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Voltage on any pin relative to Vss

Voltage on VDD supply relative to Vss

Storage temperature

Symbol

VIN, VOUT

VDD, VDDQ

TSTG

Value

-1.0 ~ 4.6

-55 ~ +150

Unit

°C

Power dissipation

Short circuit current

IOS

Note :

Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.

Functional operation should be restricted to recommended operating condition.

Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.

DC OPERATING CONDITIONS

•Recommended operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V, TA = -40^oC to +85^oC)

Parameter

Supply voltage

Symbol

VDD, VDDQ

VIH

Min

3.0

2.0

-0.3

2.4

Typ

Max

Unit

Note

3.3

3.6

Input logic high voltage

Input logic low voltage

Output logic high voltage

Output logic low voltage

Input leakage current

3.0

VDDQ+0.3

VIL

0.8

VOH

IOH = -2mA

IOL = 2mA

VOL

0.4

ILI

-10

Notes :

1. VIH (max) = 5.6V AC.The overshoot voltage duration is £ 3ns.

2. VIL (min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.

3. Any input 0V £ VIN £ VDDQ,

Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.

4. The VDD condition of K4S643232E-60 is 3.135V ~ 3.6V

CAPACITANCE (VDD = 3.3V, TA = 23°C, f = 1MHz, VREF = 1.4V ± 200 mV)

Symbol

CCLK

CIN

Min

Max

Unit

Clock

RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM

Address

4.5

6.5

CADD

COUT

DQ0 ~ DQ31

Rev. 1.0 (Jan. 2001)

- 6 -

1...3 4 567 8 9...44

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