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K4S56163LC-BG1H

更新时间： 2024-11-01 20:05:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	60K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54

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K4S56163LC-BG1H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.83	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
长度：	15.1 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/2.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8.1 mm	Base Number Matches：	1

K4S56163LC-R(B)G/S

CMOS SDRAM

16Mx16

Mobile SDRAM

54CSP

(VDD/VDDQ 2.5V/1.8V or 2.5V/2.5V, TCSR & PASR)

Revision 1.4

December 2002

Rev. 1.4 Dec. 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S56163LC-BG1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S56163LC-BL15	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S56163LC-BL1H	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S56163LC-BL1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S56163LC-BN1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S56163LC-BP1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S56163LC-BR1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S56163LC-BR75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S56163LC-BS15	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S56163LC-BS75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, CSP-54