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K4S56163LC-BR1L

更新时间: 2024-02-03 08:44:34
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 60K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54

K4S56163LC-BR1L 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:VFBGA, BGA54,9X9,32
针数:54Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.83访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):105 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B54
长度:15.1 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-25 °C组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源:1.8/2.5,2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.15 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
宽度:8.1 mmBase Number Matches:1

K4S56163LC-BR1L 数据手册

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K4S56163LC-R(B)F/R  
CMOS SDRAM  
16Mx16  
Mobile SDRAM  
54CSP  
(VDD/VDDQ 2.5V/1.8V or 2.5V/2.5V, TCSR & PASR)  
Revision 1.4  
December 2002  
Rev. 1.4 Dec. 2002  

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