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K4S561632C-TN75

更新时间： 2024-01-26 08:15:36
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 114K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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K4S561632C-TN75 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.15
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G54
长度：22.22 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4S561632C-TN75 数据手册

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K4S561632C  
CMOS SDRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Voltage on any pin relative to Vss  
Voltage on VDD supply relative to Vss  
Storage temperature  
Symbol  
VIN, VOUT  
VDD, VDDQ  
TSTG  
Value  
-1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
-55 ~ +150  
1
Unit  
V
V
°C  
W
Power dissipation  
PD  
Short circuit current  
IOS  
50  
mA  
Note :  
Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.  
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.  
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.  
DC OPERATING CONDITIONS  
Recommended operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V, TA = -25 to 85°C)  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
VDD, VDDQ  
VIH  
Min  
3.0  
2.0  
-0.3  
2.4  
-
Typ  
Max  
3.6  
Unit  
V
Note  
3.3  
4
Input logic high voltage  
Input logic low voltage  
Output logic high voltage  
Output logic low voltage  
Input leakage current  
3.0  
VDD+0.3  
0.8  
V
1
VIL  
0
-
V
2
VOH  
-
V
IOH = -2mA  
IOL = 2mA  
3
VOL  
-
0.4  
V
ILI  
-10  
-
10  
uA  
Notes :  
1. VIH (max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is £ 3ns.  
2. VIL (min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.  
3. Any input 0V £ VIN £ VDDQ.  
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.  
4. The VDD condition of K4S561632C-60 is 3.135V~3.6V.  
CAPACITANCE (VDD = 3.3V, TA = 23°C, f = 1MHz, VREF =1.4V ± 200 mV)  
Pin  
Symbol  
CCLK  
CIN  
Min  
2.5  
2.5  
2.5  
4.0  
Max  
4.0  
5.0  
5.0  
6.5  
Unit  
pF  
Note  
Clock  
1
2
2
3
RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM  
Address  
pF  
CADD  
COUT  
pF  
DQ0 ~ DQ15  
pF  
Notes :  
1. -75/7C only specify a maximum value of 3.5pF  
2. -75/7C only specify a maximum value of 3.8pF  
3. -75/7C only specify a maximum value of 6.0pF  
Rev.0.1 Sept.2001  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4S561632C-TN7C SAMSUNG

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