5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S561632A-TL75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S561632A-TL750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S561632A-TL80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S561632A-TL800 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S561632A-TL80T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S561632B | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
|
| K4S561632B-TC/L1H | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
|
| K4S561632B-TC/L1L | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
|
| K4S561632B-TC/L75 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
|
| K4S561632B-TC/L80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
