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K4M64163LK-BN1LT

更新时间： 2024-02-08 20:58:37

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	113K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

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K4M64163LK-BN1LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
最长访问时间：	7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	111 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

K4M64163LK-BN1LT 数据手册

K4M64163LK - R(B)N/G/L/F

Mobile-SDRAM

DC CHARACTERISTICS

Recommended operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V, T

= -25 to 85°C for Extended, -25 to 70°C for Commercial)

Version

Parameter

Symbol

Test Condition

Unit Note

-75

-1H

-1L

Burst length = 1

Operating Current

(One Bank Active)

CC1

RC ≥ tRC(min)

= 0 mA

CC2

CKE ≤ VIL(max), tCC = 10ns

0.5

Precharge Standby Current in

power-down mode

CC2PS CKE & CLK ≤ VIL(max), tCC = ∞

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC = 10ns

CC2

Input signals are changed one time during 20ns

Precharge Standby Current

in non power-down mode

CKE ≥ VIH(min), CLK ≤ VIL(max), tCC = ∞

Input signals are stable

CC2NS

CC3

CKE ≤ VIL(max), tCC = 10ns

Active Standby Current

in power-down mode

CC3PS CKE & CLK ≤ VIL(max), tCC = ∞

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC = 10ns

CC3

Active Standby Current

in non power-down mode

(One Bank Active)

Input signals are changed one time during 20ns

CKE ≥ VIH(min), CLK ≤ VIL(max), tCC = ∞

Input signals are stable

CC3NS

IO = 0 mA

Operating Current

(Burst Mode)

Page burst

4Banks Activated

CCD = 2CLKs

Refresh Current

RC ≥ tRC(min)

115

110

300

100

°C

-N/L

45 ^*5

85/70

Internal TCSR

Full Array

Self Refresh Current

CKE ≤ 0.2V

180

140

120

300

220

180

-G/F

1/2 of Full Array

1/4 of Full Array

NOTES:

1. Measured with outputs open.

2. Refresh period is 64ms.

3. Internal TCSR can be supported.

In commercial Temp : Max 45°C/Max 70°C, In extended Temp : Max 45°C/Max 85°C

4. K4M64163LK-R(B)G/F**

5. It has +/-5 °C tolerance.

6. Unless otherwise noted, input swing IeveI is CMOS(VIH /VIL=VDDQ/VSSQ).

January 2006

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