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K4M64163LK-BL1LT

更新时间： 2024-02-23 09:04:11

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三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	113K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

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技术参数
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K4M64163LK-BL1LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
最长访问时间：	7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	111 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

K4M64163LK-BL1LT 数据手册

K4M64163LK - R(B)N/G/L/F

Mobile-SDRAM

Package Dimension and Pin Configuration

< Bottom View^*1>

< Top View^*2>

E₁

54Ball(6x9) FBGA

VSS

DQ15 VSSQ VDDQ DQ0

VDD

DQ1

DQ3

DQ5

DQ14 DQ13 VDDQ VSSQ DQ2

DQ12 DQ11 VSSQ VDDQ DQ4

DQ10

DQ8

DQ9 VDDQ VSSQ DQ6

VSS

CKE

VDD LDQM DQ7

UDQM CLK

CAS

BA0

RAS

BA1

A11

A10

VDD

VSS

Pin Name

CLK

Pin Function

System Clock

Chip Select

Clock Enable

Address

*2: Top View

CKE

~ A11

~ BA

Bank Select Address

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Write Enable

RAS

CAS

L(U)DQM

Data Input/Output Mask

Data Input/Output

*1: Bottom View

~ 15

< Top View^*2>

DD/VSS

Power Supply/Ground

Data Output Power/Ground

DDQ/VSSQ

#A1 Ball Origin Indicator

[Unit:mm]

Symbol

Min

Typ

Max

1.00

A₁

0.25

7.90

8.00

6.40

8.00

6.40

0.80

0.50

8.10

E₁

7.90

8.10

D₁

0.45

0.55

0.10

January 2006

1 234 5 6 7...12

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