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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.75 |
| 最长访问时间： | 7 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 111 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B54 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 4MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K4M64163LK-BL75 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 |
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| K4M64163LK-BL750 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 |
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| K4M64163LK-BN1H | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 |
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| K4M64163LK-BN1H0 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 |
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| K4M64163LK-BN1L | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 |
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| K4M64163LK-BN1L0 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 |
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