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K4M641633K-BG1LT

更新时间： 2024-01-08 09:24:40

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	113K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

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技术参数
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K4M641633K-BG1LT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	111 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	JESD-609代码：	e3
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

K4M641633K-BG1LT 数据手册

浏览型号K4M641633K-BG1LT的Datasheet PDF文件第10页

K4M641633K - R(B)N/G/L/F

Mobile-SDRAM

OPERATING AC PARAMETER

(AC operating conditions unless otherwise noted)

Version

Parameter

Symbol

Unit

Note

-75

-1H

-1L

Row active to row active delay

RAS to CAS delay

RRD(min)

RCD(min)

Row precharge time

RP(min)

RAS(min)

RAS(max)

RC(min)

RDL(min)

DAL(min)

CDL(min)

BDL(min)

CCD(min)

Row active time

100

Row cycle time

1,6

Last data in to row precharge

Last data in to Active delay

Last data in to new col. address delay

Last data in to burst stop

CLK

tRDL + tRP

CLK

Col. address to col. address delay

Number of valid output data

CAS latency=3

CAS latency=2

CAS latency=1

NOTES:

1. The minimum number of clock cycles is determined by dividing the minimum time required with clock cycle time

and then rounding off to the next higher integer.

2. Minimum delay is required to complete write.

3. Minimum tRDL=2CLK and tDAL(= tRDL + tRP) is required to complete both of last data write command(tRDL) and precharge command(tRP).

4. All parts allow every cycle column address change.

5. In case of row precharge interrupt, auto precharge and read burst stop.

6. Maximum burst refresh cycle : 8

January 2006

1...4 5 678 9 10...12

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