是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA, BGA54,9X9,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 7 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 111 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B54 | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 4MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | FBGA |
封装等效代码: | BGA54,9X9,32 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.11 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
K4M641633K-RG1LT | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 |
获取价格 |
|
K4M641633K-RG75 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 |
获取价格 |
|
K4M641633K-RL1H0 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54 |
获取价格 |
|
K4M641633K-RL1HT | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 |
获取价格 |
|
K4M641633K-RL75T | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 |
获取价格 |
|
K4M641633K-RN1L | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 |
获取价格 |