Datasheet > 存储 > DRAM> K4H510438G-LC/LB3

K4H510438G-LC/LB3

更新时间： 2024-01-02 15:13:46

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
24页	351K
描述
512Mb G-die DDR SDRAM Specification

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4H510438G-LC/LB3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	128MX4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4H510438G-LC/LB3 数据手册

浏览型号K4H510438G-LC/LB3的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号K4H510438G-LC/LB3的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号K4H510438G-LC/LB3的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号K4H510438G-LC/LB3的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号K4H510438G-LC/LB3的Datasheet PDF文件第6页

K4H510438G

K4H510838G

K4H511638G

DDR SDRAM

512Mb G-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II

with Lead-Free and Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 November 2009

1 of 24

12 3 4 5 6 7...24

中文翻译

下载PDF

与K4H510438G-LC/LB3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H510438G-LCC00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.55ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510438G-LLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66,
K4H510438J-BCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510438J-BIB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510438J-BICC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510438J-BLCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H510438J-BPB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H510438J-BPCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510438J-BPCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H510438J-LCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AN

与K4H510438G-LC/LB3相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

5
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

6
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H510438G-LC/LB3

K4H510438G-LC/LB3 技术参数

K4H510438G-LC/LB3 数据手册

与K4H510438G-LC/LB3相关器件

与K4H510438G-LC/LB3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H510438G-LC/LB3

K4H510438G-LC/LB3 技术参数

K4H510438G-LC/LB3 数据手册

与K4H510438G-LC/LB3相关器件

与K4H510438G-LC/LB3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？