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K4E660812C-TL600

更新时间: 2024-02-07 00:49:46
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

K4E660812C-TL600 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2,
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.32Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:20.95 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4E660812C-TL600 数据手册

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K4E660812C,K4E640812C  
CMOS DRAM  
PIN CONFIGURATION (Top Views)  
K4E660812C-T  
K4E640812C-T  
K4E660812C-J  
K4E640812C-J  
VCC  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
N.C  
VCC  
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 VSS  
VCC  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
N.C  
VCC  
W
RAS  
A0  
A1  
A2  
A3  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
VSS  
31 DQ7  
30 DQ6  
29 DQ5  
28 DQ4  
27 VSS  
26 CAS  
25 OE  
24 A12(N.C)*  
23 A11  
22 A10  
21 A9  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
VSS  
CAS  
OE  
A12(N.C)*  
A11  
A10  
A9  
RAS  
9
A0 10  
A1 11  
A2 12  
A3 13  
A4 14  
A5 15  
VCC 16  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
20 A8  
19 A7  
18 A6  
17 VSS  
A8  
A7  
A6  
VSS  
A4  
A5  
VCC  
(J : 400mil SOJ)  
(T : 400mil TSOP(II))  
* (N.C) : N.C for 4K Refresh product  
Pin Name  
A0 - A12  
A0 - A11  
DQ0 - 7  
VSS  
Pin Function  
Address Inputs(8K Product)  
Address Inputs(4K Product)  
Data In/Out  
Ground  
RAS  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Read/Write Input  
Data Output Enable  
Power(+3.3V)  
CAS  
W
OE  
VCC  
N.C  
No Connection  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4E660812D-JC60 SAMSUNG

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DRAM
K4E660812D-JI60 SAMSUNG

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K4E660812D-TC45 SAMSUNG

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K4E660812D-TL45 SAMSUNG

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EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32