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K4E660812C-TL600

更新时间： 2024-01-09 06:47:04
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4E660812C-TL600 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.32Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：20.95 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4E660812C-TL600 数据手册

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K4E660812C,K4E640812C  
CMOS DRAM  
PIN CONFIGURATION (Top Views)  
• K4E660812C-T  
• K4E640812C-T  
• K4E660812C-J  
• K4E640812C-J  
VCC  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
N.C  
VCC  
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 VSS  
VCC  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
N.C  
VCC  
W
RAS  
A0  
A1  
A2  
A3  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
VSS  
31 DQ7  
30 DQ6  
29 DQ5  
28 DQ4  
27 VSS  
26 CAS  
25 OE  
24 A12(N.C)*  
23 A11  
22 A10  
21 A9  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
VSS  
CAS  
OE  
A12(N.C)*  
A11  
A10  
A9  
RAS  
9
A0 10  
A1 11  
A2 12  
A3 13  
A4 14  
A5 15  
VCC 16  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
20 A8  
19 A7  
18 A6  
17 VSS  
A8  
A7  
A6  
VSS  
A4  
A5  
VCC  
(J : 400mil SOJ)  
(T : 400mil TSOP(II))  
* (N.C) : N.C for 4K Refresh product  
Pin Name  
A0 - A12  
A0 - A11  
DQ0 - 7  
VSS  
Pin Function  
Address Inputs(8K Product)  
Address Inputs(4K Product)  
Data In/Out  
Ground  
RAS  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Read/Write Input  
Data Output Enable  
Power(+3.3V)  
CAS  
W
OE  
VCC  
N.C  
No Connection  
1234567...21

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与K4E660812C-TL600相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4E660812D-JC60 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4E660812D-JI50T SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-JI60 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4E660812D-JI600 SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-JI60T SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-JP50T SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-JP60T SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-TC45 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660812D-TC60 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660812D-TL45 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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