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K4E660812C-TL600

更新时间： 2024-01-18 11:02:42
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4E660812C-TL600 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.32Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：20.95 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4E660812C-TL600 数据手册

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K4E660812C,K4E640812C  
TEST MODE CYCLE  
Parameter  
CMOS DRAM  
( Note 11 )  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
Units  
Note  
Min  
79  
Max  
Min  
89  
Max  
Min  
109  
145  
Max  
Random read or write cycle time  
Read-modify-write cycle time  
Access time from RAS  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tRC  
110  
121  
tRWC  
tRAC  
tCAC  
tAA  
50  
17  
55  
18  
65  
20  
3,4,10,12  
3,4,5,12  
3,10,12  
Access time from CAS  
Access time from column address  
RAS pulse width  
28  
30  
35  
50  
12  
18  
39  
28  
29  
62  
40  
22  
52  
50  
10K  
10K  
55  
13  
18  
43  
30  
35  
72  
47  
25  
53  
55  
10K  
10K  
65  
15  
20  
50  
35  
39  
84  
54  
30  
61  
65  
10K  
10K  
tRAS  
tCAS  
tRSH  
tCSH  
tRAL  
CAS pulse width  
RAS hold time  
CAS hold time  
Column Address to RAS lead time  
CAS to W delay time  
7
7
tCWD  
tRWD  
tAWD  
tHPC  
tHPRWC  
tRASP  
tCPA  
tOEA  
tOED  
tOEH  
RAS to W delay time  
Column Address to W delay time  
Hyper Page cycle time  
7
14  
14  
Hyper Page read-modify-write cycle time  
RAS pulse width (Hyper page cycle)  
Access time from CAS precharge  
OE access time  
200K  
29  
200K  
33  
200K  
40  
3
3
17  
18  
20  
OE to data delay  
13  
13  
18  
18  
20  
20  
OE command hold time  
1...45678910...21

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与K4E660812C-TL600相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4E660812D-JC60 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4E660812D-JI50T SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-JI60 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4E660812D-JI600 SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-JI60T SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-JP50T SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-JP60T SAMSUNG

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 		DRAM
K4E660812D-TC45 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660812D-TC60 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660812D-TL45 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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