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K4E640812E-JI60

更新时间： 2023-01-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	193K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32,

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K4E640812E-JI60 数据手册

Industrial Temperature

K4E660812E,K4E640812E

CMOS DRAM

PIN CONFIGURATION (Top Views)

• K4E660812E-T

• K4E640812E-T

• K4E660812E-J

• K4E640812E-J

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

VSS

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

RAS

VSS

31 DQ7

30 DQ6

29 DQ5

28 DQ4

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

VSS

CAS

A12(N.C)*

A11

A10

VSS

26 CAS

25 OE

24 A12(N.C)*

23 A11

22 A10

21 A9

20 A8

19 A7

18 A6

RAS

A0 10

A1 11

A2 12

A3 13

A4 14

A5 15

VSS

VCC

VSS

(J : 400mil SOJ)

(T : 400mil TSOP(II))

* (N.C) : N.C for 4K Refresh product

Pin Name

A0 - A12

A0 - A11

DQ0 - 7

VSS

Pin Function

Address Inputs(8K Product)

Address Inputs(4K Product)

Data In/Out

Ground

RAS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Read/Write Input

Data Output Enable

Power(+3.3V)

CAS

VCC

N.C

No Connection

123 4 5 6 7...21

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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