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K4E640812D-JL60

更新时间： 2023-06-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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K4E640812D-JL60 数据手册

K4E660812D,K4E640812D

CMOS DRAM

RAS - ONLY REFRESH CYCLE*

NOTE : W, OE, DIN = Don¢t care

DOUT = OPEN

tRC

tRP

VIH -

RAS

VIL -

tRAS

tRPC

tCRP

VIH -

CAS

VIL -

tASR

tRAH

VIH -

VIL -

ROW

ADDR

CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE

NOTE : OE , A = Don¢t care

tRC

tRP

tRAS

VIH -

RAS

VIL -

tRPC

tCP

tCSR

VIH -

tCHR

CAS

VIL -

tWRP

tWRH

VIH -

VIL -

DQ0 ~ DQ3(7)

VOH -

VOL -

tCEZ

OPEN

Don¢t care

Undefined

1...14 15 161718 19 20 21

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