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K4E640812D-JL60

更新时间： 2023-06-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
21页 416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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K4E640812D-JL60 数据手册

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K4E660812D,K4E640812D  
CMOS DRAM  
HIDDEN REFRESH CYCLE ( WRITE )  
NOTE : DOUT = OPEN  
tRC  
tRAS  
tRC  
tRAS  
tRP  
tRP  
VIH -  
RAS  
VIL -  
tCRP  
tRCD  
tRSH  
tCHR  
VIH -  
CAS  
VIL -  
tRAD  
tRAL  
tCAH  
tASR  
tRAH  
tASC  
VIH -  
VIL -  
COLUMN  
ADDRESS  
ROW  
ADDRESS  
A
W
tWRH  
tWRP  
tWCS  
tWCH  
VIH -  
VIL -  
tWP  
VIH -  
VIL -  
OE  
tDS  
tDH  
DATA-IN  
DQ0 ~ DQ3(7)  
VIH -  
VIL -  
Don¢t care  
Undefined  
1...161718192021

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