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K4E640812D-JL60

更新时间： 2023-06-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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K4E640812D-JL60 数据手册

K4E660812D,K4E640812D

CMOS DRAM

HIDDEN REFRESH CYCLE ( READ )

tRC

tRP

tRAS

VIH -

RAS

VIL -

tCRP

tRCD

tRSH

tCHR

VIH -

VIL -

CAS

tRAD

tRAL

tCAH

COLUMN

tASR

tRAH

tASC

tRCS

VIH -

VIL -

ROW

ADDRESS

tWRH

VIH -

VIL -

tAA

VIH -

VIL -

tOEA

tOLZ

tCEZ

tCAC

tREZ

tWEZ

tCLZ

tRAC

DQ0 ~ DQ3(7)

VOH -

tOEZ

DATA-OUT

OPEN

VOL -

Don¢t care

Undefined

* In Hidden refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.

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