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K4E171611C-T6000

更新时间： 2024-11-25 08:23:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 553K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

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K4E171611C-T6000 技术参数

生命周期：Active包装说明：TSOP2,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：20.95 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K4E171611C-T6000 数据手册

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K4E171611C, K4E151611C  
K4E171612C, K4E151612C  
CMOS DRAM  
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out  
DESCRIPTION  
This is a family of 1,048,576 x 16 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of  
memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (1K Ref. or 4K  
Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features  
of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-  
refresh operation is available in L-version. This 1Mx16 EDO Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢ s advanced CMOS pro-  
cess to realize high band-width, low power consumption and high reliability. It may be used as graphic memory unit for microcomputer,  
personal computer and portable machines.  
FEATURES  
• Part Identification  
• Extended Data Out Mode operation  
(Fast Page Mode with Extended Data Out)  
• 2 CAS Byte/Word Read/Write operation  
- K4E171611C-J(T)(5V, 4K Ref.)  
• CAS-before-RAS refresh capability  
- K4E151611C-J(T) (5V, 1K Ref.)  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
- K4E171612C-J(T)(3.3V, 4K Ref.)  
- K4E151612C-J(T)(3.3V, 1K Ref.)  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• ActivePowerDissipation  
Unit : mW  
5V  
3.3V  
Speed  
• Available in plastic SOJ 400mil and TSOP(II) packages  
• Single +5V±10% power supply (5V product)  
• Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)  
4K  
1K  
4K  
1K  
-45  
-50  
-60  
360  
324  
288  
540  
504  
468  
550  
495  
440  
825  
770  
715  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
• Refresh Cycles  
Part  
Refresh Refresh period  
VCC  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
NO.  
cycle  
Vcc  
Vss  
Normal L-ver  
Control  
Clocks  
VBB Generator  
K4E171611C  
5V  
4K  
1K  
64ms  
16ms  
K4E171612C 3.3V  
K4E151611C 5V  
Lower  
128ms  
Data in  
Buffer  
DQ0  
to  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
K4E151612C 3.3V  
DQ7  
Lower  
Data out  
Buffer  
Memory Array  
1,048,576 x16  
Cells  
OE  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
• Performance Range  
DQ8  
to  
DQ15  
Speed  
-45  
Remark  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
A0-A11  
(A0 - A9)*1  
A0 - A7  
Upper  
Data out  
Buffer  
69ns  
84ns  
16ns 5V/3.3V  
20ns 5V/3.3V  
Column Decoder  
(A0 - A9)*1  
-50  
-60  
17ns 104ns 25ns 5V/3.3V  
Note) *1 : 1K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...35

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与K4E171611C-T6000相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4E171611C-TC450 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44,
K4E171611C-TC500 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44,
K4E171611C-TC50T SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44,
K4E171611C-TC600 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44,
K4E171611C-TL450 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
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 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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