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K4E160411D-FC600

更新时间： 2024-11-20 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	256K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

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K4E160411D-FC600 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	26
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.29
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

K4E160411D-FC600 数据手册

K4E170411D, K4E160411D

K4E170412D, K4E160412D

CMOS DRAM

4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION

This is a family of 4.194,304 x 4 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of

memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K

Ref.), access time (-50 or -60), power consumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of

this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh

operation is available in L-version. This 4Mx4 EDO DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high

band-width, low power consumption and high reliability. It may be used as main memory unit for high level computer, microcomputer and

personal computer.

FEATURES

• Part Identification

• Extended Data Out Mode operation

(Fast Page Mode with Extended Data Out)

• CAS-before-RAS refresh capability

- K4E170411D-B(F) (5V, 4K Ref.)

• RAS-only and Hidden refresh capability

- K4E160411D-B(F) (5V, 2K Ref.)

• Self-refresh capability (L-ver only)

- K4E170412D-B(F) (3.3V, 4K Ref.)

- K4E160412D-B(F) (3.3V, 2K Ref.)

• Fast parallel test mode capability

• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs

• Early Write or output enable controlled write

• JEDEC Standard pinout

• ActivePowerDissipation

Unit : mW

• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages

• Single +5V±10% power supply (5V product)

• Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)

3.3V

Speed

324

288

-50

-60

396

360

495

440

605

550

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

• Refresh Cycles

Part

Refresh Refresh period

RAS

CAS

Vcc

Vss

VCC

Control

Clocks

NO.

cycle

Normal L-ver

VBB Generator

K4E170411D

64ms

128ms

32ms

Data in

K4E170412D 3.3V

K4E160411D 5V

Buffer

Row Decoder

Refresh Timer

Refresh Control

Refresh Counter

K4E160412D 3.3V

DQ0

DQ3

Memory Array

4,194,304 x4

Cells

• Performance Range

A0-A11

(A0 - A10)*1

A0 - A9

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

Speed

-50

Remark

20ns 5V/3.3V

tRAC

50ns

60ns

tCAC

15ns

tRC

tHPC

Data out

Buffer

Column Decoder

(A0 - A10)*1

84ns

-60

17ns 104ns 25ns 5V/3.3V

Note) *1 : 2K Refresh

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...21

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K4E160412C-BL500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
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