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K4B1G0446D-HCF8

更新时间： 2024-02-27 01:58:20

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

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K4B1G0446D-HCF8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FBGA, BGA82,11X13,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最长访问时间：	0.3 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B82
JESD-609代码：	e1	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	端子数量：	82
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
组织：	256MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA82,11X13,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

K4B1G0446D-HCF8 数据手册

1Gb DDR3 SDRAM

K4B1G04(08/16)46D

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

82 / 100 FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS Compliant)

CAUTION :

* This document includes some items still under discussion in JEDEC.

* Therefore, those may be changed without pre-notice based on JEDEC progress.

* And it’s highly recommended not to send the spec without Samsung’s permission.

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 August 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4B1G0446D-HCH9	SAMSUNG	获取价格	1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G0446E	SAMSUNG	获取价格	DDR3 SDRAM Memory
K4B1G0446E-HCF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.2ns, CMOS, PBGA78
K4B1G0446E-HCF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.15ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0446F	SAMSUNG	获取价格	DDR3 SDRAM Memory
K4B1G0446F-HCF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0446F-HYF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
K4B1G0446F-HYF80	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78
K4B1G0446F-HYF8T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78
K4B1G0446F-HYH9	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78

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