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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA78,9X13,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 0.3 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 533 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B78 |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 78 |
| 字数： | 268435456 words | 字数代码： | 256000000 |
| 组织： | 256MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA78,9X13,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 电源： | 1.35 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 8 | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.13 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.35 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4B1G0446F-HYH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78 |
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| K4B1G0446F-HYH90 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78 |
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| K4B1G0446F-HYH9T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78 |
|
| K4B1G0446F-HYK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78 |
|
| K4B1G0446F-HYK00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78 |
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| K4B1G0446G | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb G-die DDR3 SDRAM |
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| K4B1G0446G-BCF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb G-die DDR3 SDRAM |
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| K4B1G0446G-BCF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |
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| K4B1G0446G-BCF8T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78 |
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| K4B1G0446G-BCH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb G-die DDR3 SDRAM |
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