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K3P6S1000D-YE PDF预览

K3P6S1000D-YE

更新时间： 2024-02-27 09:26:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 97K
描述
MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

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K3P6S1000D-YE 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1,针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.84
最长访问时间：150 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：16.4 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-20 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL宽度：12 mm
Base Number Matches：1

K3P6S1000D-YE 数据手册

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K3P6V(U)1000D-YC(E)/K3P6S1000D-YC(E)  
CMOS MASK ROM  
32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
The K3P6V(U)1000D-YC(E) and K3P6S1000D-YC(E) are fully  
static mask programmable ROM fabricated using silicon gate  
CMOS process technology, and is organized either as  
4,194,304 x8 bit(byte mode) or as 2,097,152x16 bit(word mode)  
depending on BHE voltage level.(See mode selection table)  
This device includes page read mode function, page read mode  
allows 8 words (or 16 bytes) of data to read fast in the same  
page, CE and A3 ~ A20 should not be changed.  
· Switchable organization  
4,194,304x8(byte mode)  
2,097,152x16(word mode)  
· Fast access time  
Random Access Time/Page Access Time  
3.3V/3.0V Operation : 100/30ns(Max.)  
2.5V Operation : 150/50ns(Max.)  
· 8 words/ 16 bytes page access  
· Supply voltage  
K3P6V(U)1D-YC(E) : single +3.0V/ single +3.3V  
K3P6S1D-YC(E) : single +2.5V  
· Current consumption  
This device operates with low power supply, and all inputs and  
outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 60mA(Max.)  
Standby : 30mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
The K3P6V(U)1000D-YC(E) and K3P6S1000D-YC(E) are  
packaged in a 48-TSOP1.  
-. K3P6V(U)1000D-YC(E)/K3P6S1000D-YC(E)  
: 48-TSOP1-1218  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Pin Name  
A0 - A2  
Pin Function  
Page Address Inputs  
A20  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
BUFFERS  
AND  
.
.
.
.
.
.
.
.
(2,097,152x16/  
4,194,304x8)  
A3 - A20  
Q0 - Q14  
Address Inputs  
Data Outputs  
DECODER  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
Y
SENSE AMP.  
BUFFERS  
AND  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
DATA OUT  
BUFFERS  
DECODER  
A3  
A0~A2  
A-1  
OE  
.
.
.
VCC  
VSS  
Ground  
CE  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
OE  
BHE  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3P6S1000D-YE15 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX8, 150ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3P6U1000D-YC SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
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 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
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