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K3N3C6000D-DC12 PDF预览

K3N3C6000D-DC12

更新时间： 2024-01-17 19:48:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40

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K3N3C6000D-DC12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP40,.6
针数：40Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：120 ns
其他特性：TTL COMPATIBLE I/OJESD-30 代码：R-PDIP-T40
JESD-609代码：e0长度：52.42 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：40字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP40,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.00005 A
子类别：MASK ROMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

K3N3C6000D-DC12 数据手册

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K3N3C6000D-DC  
CMOS MASK ROM  
4M-Bit (256Kx16) CMOS MASK ROM (EPROM TYPE)  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
The K3N3C6000D-DC is a fully static mask programmable  
ROM organized 262,144 x 16 bit. It is fabricated using silicon  
gate CMOS process technology.  
This device operates with a 5V single power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
· 262,144 x 16 bit organization  
· Fast access time : 80ns(Max.)  
· Supply voltage : single +5V  
· Current consumption  
Operating : 50mA(Max.)  
Standby : 50mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
The K3N3C6000D-DC is packaged in a 40-DIP.  
· Package  
-. K3N3C6000D-DC : 40-DIP-600  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A17  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
BUFFERS  
AND  
.
.
.
.
.
.
.
.
(262,144x16)  
DECODER  
VCC  
A17  
A16  
N.C  
CE  
Q15  
Q14  
Q13  
Q12  
Q11  
Q10  
Q9  
40  
39  
38  
1
2
3
4
A15  
A14  
A13  
37  
36  
35  
34  
Y
SENSE AMP.  
BUFFERS  
5
BUFFERS  
AND  
6
7
A12  
DECODER  
A0  
8
33 A11  
A10  
32  
9
Q8  
10  
11  
31  
A9  
. . .  
DIP  
VSS  
30 VSS  
A8  
29  
Q7 12  
CE  
OE  
Q0  
Q15  
Q6  
Q5  
Q4  
Q3  
Q2  
Q1  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
A7  
A6  
A5  
28  
27  
26  
CONTROL  
LOGIC  
25 A4  
24 A3  
A2  
A1  
A0  
23  
22  
21  
Q0  
Pin Name  
A0 - A17  
Q0 - Q15  
CE  
Pin Function  
Address Inputs  
OE  
Data Outputs  
Chip Enable  
Output Enable  
Power(+5V)  
Ground  
K3N3C6000D-DC  
OE  
VCC  
VSS  
N.C  
No Connection  
123

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 		MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
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