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JMTK10N10A

更新时间： 2024-11-24 14:54:03

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捷捷微 - JJM		/
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6页	390K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTK10N10A 数据手册

JMTK10N10A

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 100V, 10A

 Load Switch

R_DS(ON)<108mΩ @ V_GS= 10V

 PWM Application

 Power management

R_DS(ON)<125mΩ @ V_GS= 4.5V

 Advanced Trench Technology

 Provide Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

TO-252-3L(DPAK) top view

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(PCS)

Per Carton

(PCS)

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

Reel Size

JMTK10N10A

TAPING

TO-252-3L

13inch

2500

25000

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

100

Gate-Source Voltage

±20

T_C= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

T_C= 100℃

6.5

I_DM

EAS

P_D

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

Power Dissipation

T_C= 25℃

Thermal Resistance, Junction to Case

Operating and Storage Temperature Range

R_θJC

3.4

℃/W

℃

T_J, T_STG

-55 to +175

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.5

- 1 -

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