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JEB36DFP

更新时间： 2023-12-06 19:52:00

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捷捷微 - JJM		/
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静电保护器件

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JEB36DFP 数据手册

JEB36DFP for ESD Protection

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃)

Parameter

Symbol

V_RWM

V_BR

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Reverse working voltage

Reverse breakdown voltage

Reverse leakage current

Peak pulse current

I_T=1mA

I_R

V_RWM=36V

μA

I_PP

t_P=8/20μs

I_PP=1A, t_P=8/20μs

I_PP=4A, t_P=8/20μs

V_RWM=0V, f=1MHz

Clamping voltage

V_C

C_J

Junction capacitance

RATINGS AND V‐I CHARACTERISTICS CURVES (T_A=25℃, unless otherwise noted)

FIG.1:V- I curve characteristics

(Bi-directional)

FIG.2: Pulse waveform (8/20μs)

Percent of I^PPM

Peak value

front time: T1 = 1.25×T = 8×(1±20%)μs

time to half value: T2 = 20×(1±20%)μs

IPP

100

Half value

^{VBR VRWM}IR

_VRWMV^BRVC

t(μs)

IPP

FIG.3: Pulse derating curve

FIG.4: ESD clamping (30kV contact)

PPP derating in percentage(%)

Percent of I^PPM

100

30ns

60ns

t(ns)

T^J(℃)

75 100

tr 0.7 to 1ns

125

150

175

TEL：+86-513-83639777

- 2 / 6-

http://www.jjwdz.com

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