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JANTXVR2N7482T3

更新时间： 2024-01-07 15:45:48

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英飞凌 - INFINEON		/
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22页	203K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN

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JANTXVR2N7482T3 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-257AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.38
其他特性：	RADIATION HARDENED	雪崩能效等级（Eas）：	117 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	R-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/702	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXVR2N7482T3 数据手册

MIL-PRF-19500/702C

Dimensions

Inches Millimeters

Min Max

10.41 10.92

Symbol

Min

Max

.430

.200

.035

.625

.410

.190

.025

.500

4.83

0.64

5.08

0.89

12.70 15.88

3.05

TO-257

.120

.100 BSC

2.54

MHD

MHO

.140

.150

.537

.665

.045

.420

3.56

3.81

.527

.645

.035

.410

13.39 13.64

16.38 16.89

.889

10.41 10.67

Drain

1.14

TERM

Source

Gate

NOTES:

1. Dimensions are in inches.

2. Millimeters are given for general information only.

3. All terminals are isolated from case.

4. In accordance with ASME Y14.5M, diameters are equivalent to φx symbology.

5. Protrusion thickness of ceramic eyelets included in dimension LL.

* FIGURE 1. Dimensions and configuration (TO-257AA, T3).

1 234 5 6 7...22

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与JANTXVR2N7482T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
JANTXVR2N7484T3	INFINEON	Rad hard, 100V, 18A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100 kr	获取价格
JANTXVR2N7493T2	INFINEON	Rad hard, 100V, 11.7A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-205AF package - TO-205AF, 100	获取价格
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JANTXVRH3154A	MICROSEMI	Zener Diode, 8.4V V(Z), 4.76%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETICALLY SEALED, GLASS, DO-7,	获取价格