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JANTXV2N2605UB

更新时间： 2024-11-29 19:39:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 152K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3

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JANTXV2N2605UB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.33最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-CDSO-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/354表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTXV2N2605UB 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/354  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
2N2604  
2N2605  
2N2604UB  
2N2605UB  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Base Voltage  
Symbol 2N2604  
2N2605  
Unit  
Vdc  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
80  
70  
Collector-Emitter Voltage  
60  
6.0  
30  
Vdc  
Emitter-Base Voltage  
Vdc  
Collector Current  
Total Power Dissipation @ TA = +25°C (1)  
mAdc  
mW/°C  
°C  
PT  
400  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
THERMAL CHARACTERISTICS  
TO-46 (TO-206AB)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Max.  
437  
Unit  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
°C/mW  
RθJA  
UB  
275  
Note:  
1/ Consult 19500/354 for thermal curves  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 80V dc  
2N2604, UB  
2N2605, UB  
2N2604, 2N2605, UB  
2N2604, 2N2605, UB  
10.0  
10.0  
10.0  
5.0  
uAdc  
nAdc  
uAdc  
uAdc  
V
V
CB = 70V dc  
CB = 50V dc  
ICBO  
UB Package  
VCB = 50V dc, TA = +150°C  
Collector-Emitter Breakdown Current  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
60  
Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 6.0Vdc  
uAdc  
ηAdc  
10.0  
2.0  
IEBO  
V
EB = 5.0Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 50Vdc  
ICES  
10  
ηAdc  
T4-LDS-0092 Rev. 2 (101320)  
Page 1 of 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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