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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-5 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.54 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | BASE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/126C | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JANTXV2N1303 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300MA I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N1304 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300MA I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N1305 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300MA I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N1306 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300MA I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N1307 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300MA I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N1308 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300MA I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N1309 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300MA I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N1483 | MICROSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| JANTXV2N1484 | MICROSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| JANTXV2N1485 | MICROSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| JANTXV2N1486 | MICROSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| JANTXV2N1488 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, |
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| JANTXV2N1613 | MICROSEMI | NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N1613 | RAYTHEON | Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| JANTXV2N1613L | MICROSEMI | NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N1714 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| JANTXV2N1714S | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| JANTXV2N1715 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin |
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| JANTXV2N1715S | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N1716 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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