JANTXV1N6159A

更新时间： 2024-11-30 11:23:51

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

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JANTXV1N6159A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	24 weeks	风险等级：	5.44
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	48.5 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	3 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	38.8 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV1N6159AUS	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 38.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H
JANTXV1N6159US	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 38.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, M
JANTXV1N6160	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6160A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6160US	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
JANTXV1N6161	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6161A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6161A	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 47.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANTXV1N6161AUS	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 47.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H
JANTXV1N6161US	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 47.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H