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JANTXV1N6134

更新时间: 2024-11-06 11:23:51
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6134 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-XALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.46
最小击穿电压:135.375 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Qualified
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

JANTXV1N6134 数据手册

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JANTXV1N6134 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
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完全替代

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