JANTX2N5039

更新时间： 2024-09-28 21:54:55

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网高功率电源
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2页	59K
描述
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N5039 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	SIMILAR TO TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	75 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	140 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/439E	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

JANTX2N5039 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 439

Devices

Qualified Level

JAN

2N5038

2N5039

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N5038 2N5039 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

150

125

7.0

5.0

I_C

140

P_T

Operating & Storage Temperature Range

-65 to +200

⁰C

T_op_,T

stg

TO-3*

(TO-204AA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

1.25

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 800 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc

Vdc

2N5038

2N5039

V_(BR)

CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 25 mAdc

7.0

V_(BR)

EBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 150 Vdc

V_CE= 125 Vdc

1.0

mAdc

2N5038

2N5039

I_CBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 70 Vdc

V_CE= 55 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_BE= -1.5 Vdc V_CE= 100 Vdc

V_BE= -1.5 Vdc V_CE= 85 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1.0

mAdc

2N5038

2N5039

I_CEO

I_EBO

I_CEX

1.0

mAdc

5.0

2N5038

2N5039

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTX2N5039 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5038G	ONSEMI	功能相似	NPN Silicon Transistors 20 AMPERE POWER TRANSISTORS 90 VOLTS - 140 WATTS
2N3442G	ONSEMI	功能相似	High−Power Industrial Transistors

与JANTX2N5039相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N5109	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JANTX2N5109UB	ETC	获取价格	BJT
JANTX2N5114	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL J-FET
JANTX2N5114UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE
JANTX2N5115	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL J-FET
JANTX2N5115G	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A
JANTX2N5115UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE
JANTX2N5116	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL J-FET
JANTX2N5116UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE
JANTX2N5151	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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