JANTX2N5153

更新时间： 2024-09-25 12:09:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
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4页	178K
描述
PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N5153 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.55
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/545E
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	最大关闭时间（toff）：	1500 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	Base Number Matches：	1

JANTX2N5153 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/545

DEVICES

LEVELS

JAN

2N5151

2N5153

JANTX

JANTXV

JANS

2N5151L

2N5151U3

2N5153L

2N5153U3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

2.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

2N5151, 2N5153, L

2N5151U3, 2N5153U3

@ T_A= +25°C ⁽¹⁾

@ T_C= +25°C ⁽²⁾

@ T_A= +25°C ⁽³⁾

@ T_C= +25°C ⁽⁴⁾

1.0

1.16

100

TO-5

2N5151L, 2N5153L

(See Figure 1)

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200

°C

1.75 (U3)

Thermal Resistance, Junction-to Case

°C/W

Note:

1) Derate linearly 5.7mW/°C for T_A> +25°

2) Derate linearly 66.7mW/°C for T_A> +25°

3) Derate linearly 6.63mW/°C for T_A> +25°

4) Derate linearly 571mW/°C for T_A> +25°

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

TO-39 (TO-205AD)

2N5151, 2N5153

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

V_(BR)CEO

I_EBO

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100mAdc, I_B= 0

Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc, I_C= 0

1.0

µAdc

mAdc

V_EB= 5.5Vdc, I_C= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

_CE= 60Vdc, V_BE= 0

I_CES

1.0

µAdc

mAdc

U-3

V_CE= 100Vdc, V_BE= 0

2N5151U3, 2N5153U3

Collector-Base Cutoff Current

I_CEO

µAdc

V_CE= 40Vdc, I_B= 0

T4-LDS-0132 Rev. 1 (091476)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANS2N5153L	MICROSEMI	完全替代	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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JANTX2N5153U3	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5154	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5154L	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5154U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANTX2N5157	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 500V V(BR)CEO \| 3.5A I(C) \| TO-3
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JANTX2N5237	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JANTX2N5237S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5VAR
JANTX2N5238	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 170V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5

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