Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> JANTX2N5116UB

JANTX2N5116UB

更新时间： 2024-09-29 13:08:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CERAMIC PACKAGE-3

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JANTX2N5116UB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏源导通电阻：	175 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	7 pF
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/476C
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTX2N5116UB 数据手册

TECHNICAL DATA

P-CHANNEL J-FET

Qualified per MIL-PRF-19500/ 476

Devices

Qualified

Level

JAN

2N5114

2N5115

2N5116

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C=+25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

All Devices

Unit

Gate-Source Voltage ⁽¹⁾

Drain-Source Voltage ⁽¹⁾

Drain-Gate Voltage

Gate Current

V_GS

V_DS

V_DG

I_G

P_T

T_stg

Vdc

mAdc

Power Dissipation

Storage Temperature Range

T_A= +25⁰C ⁽²⁾

0.500

-65 to +200

TO-18*

⁰C

(TO-206AA)

(1) Symmetrical geometry allows operation of those units with source/drain leads interchanged.

(2) Derate linearly 3.0 mW/⁰C for T_A> 25⁰C.

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= +25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Units

V_(BR)GSS

Vdc

Drain-Source “On” State Voltage

V_GS= 0 Vdc, I_D= -15 mAdc

V_GS= 0 Vdc, I_D= -7.0 mAdc

V_GS= 0 Vdc, I_D= -3.0 mAdc

Gate Reverse Current

2N5114

2N5115

2N5116

1.3

0.8

0.6

V_DS(on)

Vdc

I_GSS

500

pAdc

V_DS= 0, V_GS= 20 Vdc

Drain Current Cutoff

V_GS= 12 Vdc, V_DS= -15 Vdc

V_GS= 7.0 Vdc, V_DS= -15 Vdc

V_GS= 5.0 Vdc, V_DS= -15 Vdc

2N5114

2N5115

2N5116

-500

pAdc

I_D(off)

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTX2N5151L	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5151U3	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5152	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5152L	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5152U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), NPN,
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