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JANTX2N5152U3

更新时间： 2024-09-25 15:35:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), NPN,

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JANTX2N5152U3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27最大集电极电流 (IC)：5 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-XDSO-N3JESD-609代码：e0
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：10 W
认证状态：Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JANTX2N5152U3 数据手册

 浏览型号JANTX2N5152U3的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/544  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
2N5152  
2N5152L  
2N5152U3 2N5154U3  
2N5154  
2N5154L  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
80  
100  
5.5  
2.0  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Total Power Dissipation (1)  
@ TA = +25°C  
@ TC = +25°C  
1.0  
10  
PT  
W
TO-5  
2N5152L, 2N5154L  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
Thermal Resistance, Junction-to Case (1)  
TJ , Tstg  
RθJC  
-65 to +200  
°C  
10  
1.7 (U3)  
°C/W  
Note:  
1) See 19500/544 for thermal derating curves.  
2) This value applies for PW ≤ 8.3ms, duty cycle ≤ 1%.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
TO-39 (TO-205AD)  
2N5152, 2N5154  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 100mAdc, IB = 0  
V(BR)CEO  
80  
Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 4.0Vdc, IC = 0  
IEBO  
1.0  
1.0  
µAdc  
mAdc  
VEB = 5.5Vdc, IC = 0  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 60Vdc, VBE = 0  
ICES  
1.0  
1.0  
µAdc  
mAdc  
VCE = 100Vdc, VBE = 0  
Collector-Emitter Cutoff Current  
ICEO  
50  
µAdc  
VCE = 40Vdc, IB = 0  
ON CHARACTERTICS  
Forward-Current Transfer Ratio  
IC = 50mAdc, VCE = 5Vdc  
U-3  
20  
50  
30  
70  
---  
---  
90  
2N5152  
2N5154  
2N5152  
2N5154  
2N5152U3, 2N5154U3  
hFE  
IC = 2.5Adc, VCE = 5Vdc  
200  
T4-LDS-0039 Rev. 1 (080797)  
Page 1 of 2  
12

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JANTX2N5152U3 替代型号

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