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JANTX2N2604 PDF预览

JANTX2N2604

更新时间： 2024-11-29 20:18:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AB, TO-46, 3 PIN

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JANTX2N2604 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.26
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-206ABJESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/354表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTX2N2604 数据手册

 浏览型号JANTX2N2604的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTX2N2604的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA  
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 354  
Devices  
Qualified Level  
JAN, JANTX  
JANTXV  
2N2604  
2N2605  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol 2N2604 2N2605 Units  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
80  
70  
Vdc  
VCBO  
60  
6.0  
30  
Vdc  
VCEO  
VEBO  
IC  
Vdc  
mAdc  
mW/0C  
0C  
Total Power Dissipation  
@ TA = +250C(1)  
400  
PT  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
-65 to +200  
TJ, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/mW  
TO-46*  
(TO-206AB)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1) Derate linearly 2.28 mW/0C above TA = +250C  
0.437  
R
qJC  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Base Breakdown Voltage  
80  
70  
Vdc  
IC = 10 mAdc  
2N2604  
2N2605  
V(BR)CBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10 mAdc  
Emitter-Base Breakdown Current  
IE = 10 mAdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 50 Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 5.0 Vdc  
60  
Vdc  
Vdc  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
6.0  
hAdc  
hAdc  
hAdc  
10  
2.0  
IEBO  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 50 Vdc  
10  
ICES  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
123

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与JANTX2N2604相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N2604A MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JANTX2N2604UB MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMI
JANTX2N2605 RAYTHEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46,
JANTX2N2605UB MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMI
JANTX2N2812 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4
JANTX2N2814 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4
JANTX2N2857 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-72
JANTX2N2857UB MICROSEMI

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
JANTX2N2880 MICROSEMI

获取价格

 		PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N2880 APITECH

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3

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