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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-41 | 包装说明： | SIMILAR TO DO-41, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 1.72 |
| 应用： | FAST RECOVERY POWER | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/411L |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 最大反向恢复时间： | 0.15 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5418US | MICROSEMI |
完全替代  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JAN1N5418US | MICROSEMI |
完全替代 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JAN1N5418 | MICROSEMI |
类似代替 |
RECTIFIERS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N5418E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| JANTX1N5418US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JANTX1N5418US | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D-5, MELF- |
|
| JANTX1N5419 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| JANTX1N5419 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 500V V(RRM), Silicon, |
|
| JANTX1N5419E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| JANTX1N5419US | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D-5, MELF- |
|
| JANTX1N541X | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| JANTX1N5420 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, |
|
| JANTX1N5420 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
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